台积电将风险量产16nm技术

发表时间:2013/12/16 浏览:4135

标签:台积电 所属专题:模切加工专题

        12月16日上午消息(南山)据国外媒体报道,台积电发布了将在2013年年底开始风险量产(小批量生产)的16nm工艺技术,该技术主要用于移动终端和计算终端使用的SoC。这是台积电首次采用立体晶体管(FinFET)技术,与28nm工艺相比晶体管集成密度提高1倍,工作速度提升35%,功耗降低55%。

        目前台积电主流的是28nm工艺技术,并广泛应用于当前主流的移动终端产品。台积电已经启动20nm工艺的风险量产,16nm工艺也已经试制完成了SRAM、环形振荡器、以及ARM处理器内核A57芯片。

        台积电的主要竞争对手之一英特尔,目前已经能够采用14nm工艺为客户代工生产。今年2月份,英特尔凭借14nm工艺抢夺了台积电客户Altera的可编程芯片订单。


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